倾佳电子-专业功率半导体(IGBT单管，IGBT模块，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN)以及新能源汽车连接器分销商，致力于服务中国工业电源及新能源汽车制造商。相较传统汽车，新能源汽车在电驱动单元、电气设备的数量上都有较大的增加，内部动力电流及信息电流错综复杂，特别是高电流、高电压的电驱动系统对连接器的可靠性、体积和电气性能提出更高的要求，这意味着新能源汽车对连接器产品需求量及质量要求都将大幅提升。在新能源汽车中，高压连接器是极其重要的元部件，整车、充电设施上均有应用。整车上高压连接器主要应用场景有：DC、水暖PTC充电机、风暖PTC、直流充电口、动力电机、高压线束、维修开关、逆变器、动力电池、高压箱、电动空调、交流充电口等。在电动汽车中，碳化硅功率器件的应用主要为两个方向，一个用于电机驱动逆变器（电机控制器），另一个用于车载电源系统，主要包括：电源转换系统（车载DC/DC）、车载充电系统（OBC）、车载空调系统（PTC和空压机）等方面。
脱碳已经成为全球的趋势，在我国双碳政策下，也即“碳达峰、碳中和”。新能源、新基建、以及光伏发电逐渐成为瞩目的焦点，倾佳电子持续提供高品质功率半导体新能源汽车连接器，在新能源汽车电控，充电桩，汽车OBC，新能源发电，工商业储能变流器，电动汽车电机主驱，光伏逆变器，储能变流器PCS，工业电源等领域与客户深入合作，持续服务客户的供应链及新产品开发，全力支持中国新能源汽车及电力电子工业发展！
近年来，倾佳电子-着力推广国产碳化硅SiC功率器件，国产SiC-MOSFET，国产SiC-MOSFET功率模块，国产氮化镓GaN HEMT以及配套的隔离驱动IC，自举驱动IC,不断在高压汽车电驱系统、高压快充桩、消费电子适配器，数据中心、通讯基站电源、新型电力系统等领域拓展市场。除了车载应用，SiC碳化硅的替代IGBT方案开始在工业的UPS系统（不间断电源）、轨道交通等领域推出。倾佳电子-专业功率半导体(IGBT单管，IGBT模块，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN)以及新能源汽车连接器分销的元器件在电力电子领域，在功率器件方面发挥重要作用。更小的元胞尺寸、更低的比导通阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是碳化硅MOSFET技术的主要发展趋势，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。加之碳化硅器件的高功率密度、高结温特性、高频特性要求，也对现有封装技术提出更高的要求。由于碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN在导通损耗和开关损耗方面的卓越性能，可以大大降低电力电子方面应用的能耗。
基于 SiC 的逆变器使电压高达 800 V 的电气系统能够显着延长电动汽车续航里程并将充电时间缩短一半。在全球汽车电动化的浪潮下，汽车半导体领域的功率电子器件作为汽车电动化的核心部件，成为了车企和电机控制器Tire 1企业关注的热点。车用功率模块已从硅基IGBT为主的时代，开始逐步进入以碳化硅MOSFET为核心的发展阶段。在电机控制器中用碳化硅MOS替换硅基IGBT后，会获得电机控制器的效率的提升，NEDC工况下，对电池续航的贡献提升在3%-8%之间，所以电控应用对碳化硅器件的需求最为迫切。同时，在国内新能源汽车市场大力推进适应高压快充技术的高压平台上，硅基IGBT应对起来就非常吃力，取而代之的是碳化硅MOS。这更加确定了碳化硅功率器件在下一代电控系统中的核心和不可替代性地位。目前新的设计SiC模块的设计方向是结构紧凑更紧凑，通过采用双面银烧结和铜线键合技术，以及氮化硅高性能AMB陶瓷板、用于液冷型铜基PinFin板、多信号监控的感应端子（焊接、压接兼容）设计，努力往低损耗、高阻断电压、低导通电阻、高电流密度、高可靠性等方向努力。通过好的设计和先进的工艺技术确保碳化硅MOSFET性能优势在设备中得到最大程度发挥。
